TMR地道磁电阻技能怎么应用在电流传感器中

  是在电气绝缘的状况下，运用电流所发生的磁场来检测电流值的一种介于高、低电压之间的界面器材。如图 1 所示， 当原边导体中存在电流时，在导体的周围就会发生一个盘绕导体的、与电流成份额的磁场。用磁传感器查验测验该磁场强度后，生成与电流成线性关系的电信号输出这便是最基本的开环式电流传感器，也被称为直测式电流传感器。当被测磁场信号较弱，或为了按捺搅扰磁场时，能够选用软

  为了缩短电流传感器的呼应时刻，改进线性差错，准确丈量匝数为 Np的原边电流 Ip，如图所示， 咱们可用副边电路发生一电流 Is并流经匝数为 Ns的副边线圈来生成一个副边磁场，当该副边磁场在磁传感起部分与原生成磁场的原、副边电流的安匝数 Ip* Np与 Is* Ns持平。边磁场巨细持平、方向相反时，磁场到达平衡状况，而依据副边电流 Is和原、副边匝数比 Np:Ns，就可计算出原边电流值---这便是闭环式电流传感器，也被称为磁平衡式或磁补偿式电流传感器

  不管开环式仍是闭环式电流传感器，磁传感器都是其间的要害器材，对传感器功能好坏起着至关重要的效果。现在市场上的电流传感器主要是选用传统的霍尔器材，因为半导体原料本身原因，霍尔器材的温度漂移量较大，一致性差， 尤其在低温区改动剧烈， 难以进行一致校准。动态失调消除技能的选用可部分改进霍尔器材的温度漂移，但在电路中叠加了高频噪声搅扰，形成电流传感器的输出信号失真，影响整机功能。

  地道磁电阻(TMR)器材是继霍尔器材、各向异性磁电阻 AMR 和巨磁电阻 GMR 之后的新一代磁敏器材，具有低功耗、低温漂及高灵敏度的特色。在电流传感器中，选用 TMR 代替霍尔器材，可明显改进电流传感器的灵敏度和温度特性。

  根据TMR的优异功能， 闭环电流传感器可明显改进其温度漂移量。 代替后，无需任何温度补偿，电流传感器在-40~85C 的温度范围内的温度漂移总量即可由本来的 1～降至 0.1～0.2%。 在运用温度广泛的场所如变频器、伺服器、电动车辆等应用时， TMR 闭环电流传感器可保证在任何区域、任何时节的电流丈量的精准度；特别是在风能、太阳能等新动力职业中，电流传感器的温度漂移可直接引发逆变器输出电能中的直流成分的添加，不只形成动力糟蹋，直流成分还会耗费在变压器绕组中，形成变压器过热。电流传感器温度漂移的改进，将会给动力职业带来直接的经济效益与必要的安全性。

  TMR2501、 TMR2503、TMR2505线性传感器选用 SSIP-4 封装， 在笔直方向丈量磁场， 与通行的霍尔器材彻底兼容。对闭环电流传感器来说，电流传感器厂家只需改动一下磁传感器的偏置电阻值，无需更改 PCB 规划和产品结构既可直接代替霍尔器材。

  TMR2101、 TMR2102、TMR2103、 TMR2701、 TMR2703、 TMR2705、 TMR2905 和 TMR2922 为平面方向丈量磁场，合作运用纵向气隙磁芯。 脱节了断面气隙漏磁所带来的困扰，极大的提升了磁芯的聚磁才能，使电流传感器的分辨率低至毫安量级，并有用遏止外来搅扰。较之磁通门闭环电流传感器， TMR 闭环电流传感器结构相对比较简单， 抗搅扰才能强，分辨率比较高。产品呼应时刻快，丈量频带宽。

  上图为闭环电流传感器的典型电路，其间原有的霍尔器材 H1 能够直接用 TMR 代替。经过调整偏置电阻 R1和 R2，使 H1 的 1、 3 引脚间电压为 1 伏左右。例如：当电源电压为+/-15V， TMR 输入电阻为 6k 欧姆时，若 1、3 引脚间电压为 1V，则 H1 输入电流 Id=1V/6k=0.17mA，偏置电阻 R1 及 R2=(15-0.5)/0.17=85.3KΩ。RA和 RB为上下对称结构，用于调整传感器的失调值，主张选用相同系列电阻，以降低调整电阻与磁传感器之间的温度系数差异所带来的额定差错。

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